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IR推出雙PQFN2x2 和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

2011-07-19 20:55:55 本站原創

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國際整流器公司 (簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術的HEXFET® MOSFET，為低功率應用提供高密度、低成本的解決方案，這些應用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、直流電動機、無線感應充電器、筆記本電腦、服務器、網通設備等。

Dual PQFN_副本.jpg

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3雙器件在每一個封裝上都配備了一對功率MOSFET，提供共汲極和半橋拓撲的靈活性。這些器件利用IR最新的低壓硅技術 (N和P) 來實現超低損耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范圍內，配備了兩個典型導通電阻 (RDS(on)) 均為33mΩ的MOSFET。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“新型PQFN雙器件適用于開關和直流應用，為客戶提供高密度、低成本的解決方案。如今，IR新增了這些封裝，能夠提供一系列低壓PQFN產品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驅動能力達到4.5V或2.5V的器件，以及單器件或雙器件，它們都擁有極低的導通電阻。”

這個雙PQFN系列包括專為高側負荷開關優化的P通道器件，可提供更為簡便的驅動解決方案。這些器件的封裝厚度不到1 mm，與現有的表面貼裝技術相兼容，并且擁有符合行業標準的占位空間，也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。