Microsemi發布用于開發下一代高電壓大功率系統的設計指南
2011-07-05 21:00:22 本站原創這些模塊將RF驅動IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中，能夠以高達40 MHz的頻率發送1 ~ 3kW功率。設計指南還為系統開發人員提供了包括元器件選擇、匹配網絡設計、優化輸出功率、效率最大化、散熱設計等各種RF設計技巧，并針對構建完整的RF發生器所需的電路拓撲提供具體建議。
美高森美MOSRF產品部營銷總監Glenn Wright表示：“我們的DRF系列產品同傳統的低壓RF系統相比具有更加突出的技術優勢。這些優勢體現在能夠解決復雜的設計難題，減小系統體積、提高功率密度和可靠性，并降低總體系統成本，適合各種工業、科學和醫學方面的應用?！?/P>
美高森美DRF產品系列將最多兩個RF驅動器IC、兩個功率MOSFET及相關的退耦電容集成在單一封裝中。驅動器IC和MOSFET緊密接近，極大的降低了電路電感，同時可提供比分立元件解決方案更高的系統性能，以及實現多種電路配置和系統拓撲。該模塊專為提供連續的功率、 Class D和E與脈沖功率應用而設計，僅需5V邏輯電平輸入信號，即可發射高達3kW的RF功率。新模塊采用美高森美獨特的無法蘭封裝技術，成本比傳統替代解決方案更低，而且進一步改善系統性能。
美高森美現提供DRF產品系列的設計指南和其它開發工具和技術支持服務，包括SPICE模型，參考設計工具套件和應用說明。
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