三星電子在全球率先量產“超高速NAND ”
2011-05-12 23:54:56 本站原創日前，記者從三星電子得知，從本月起三星電子將在全球率先量產采用“Toggle DDR 2.0”標準的20納米級(1納米: 十億分之一米)超高速MLC NAND Flash，今后NAND Flash全線產品將采用“Toggle DDR 2.0”。
記者了解到，這是三星電子繼2009年全球率先量產利用133Mbp傳輸速度啟動的 30納米級32Gb Toggle DDR 1.0 MLC NAND Flash之后，今年再次于全球率先量產400Mbps傳輸速度的 64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash新品。
據悉，Toggle DDR 2.0 NAND Flash具有高性能、大容量的特點，能夠實現400Mbps數據處理速度，比通用NAND Flash快10倍。有分析認為，Toggle DDR 2.0 NAND Flash的推出有望擴大4G智能手機、平板電腦、SSD等高速NAND市場，通過應用新一代規格，Toggle DDR 2.0或將主導整個NAND Flash市場的高速發展。
業內人士表示，64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash是用在搭載比現有速度快一倍的USB 3.0,有望成為SATA(Serial Advanced Technology Attachment)6Gbps 等下一代界面、大容量產品上最合適的NAND Flash 方案。
據推測，智能手機、SSD、存儲卡等的生產廠商將從今年下半年開始推出各種基于64Gb高速NAND Flash的高性能、大容量產品，受此影響高速NAND Flash的市場比重有望大幅增長。記者獲知，目前20納米級64Gb MLC NAND Flash不僅生產效率上比去年4月全球率先量產的20納米級32Gb MLC NAND Flash提高了50% 以上，而且成本競爭力也比30納米級32Gb MLC NAND Flash提高了2倍以上。
三星電子半導體事業部存儲戰略營銷部負責人洪完勛副董事長說，“通過這次20納米級64Gb高速NAND Flash的量產，三星電子將主導高速增長中的4G超高速智能手機甚至大容量6.0Gbps SSD市場”，洪完勛也表示，“今后三星還將適時推出更快的大容量下一代Toggle DDR NAND Flash和解決方案，讓消費者能夠在更高速的移動設備上盡情體驗各種各樣的服務”。
根據市場調查機構預測，截止2015年，NAND Flash內存以2010年數量為基準有望實現年均54%的增長速度，64Gb以上的產品比重也將從2010年的3%大幅提高到2012年的70%，實現飛躍增長。
