宜普
電源轉換公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無鉛且符合RoHS(有害物質限制條例)要求的增強型氮化鎵 (eGaN™) FET。
EPC2001 FET是一種100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，柵極電壓為5V。EPC2015是一種40
VDS器件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。與同樣先進的硅基功率MOSFET相比，這兩種eGaN
FET都具有更卓越的性能優勢。兩種器件都具有低導通電阻，體積比相同電阻的硅器件更小，并且具有卓越許多倍的開關性能。
受益于eGaN FET性能提高的應用包括直流－直流
電源、負載點轉換器、D類音頻放大器、筆記本電腦和上網本電腦、LED驅動電路和電信基站。
“環境保護是宜普公司發展業務的首要考慮因素，也是我們提供無鉛、符合RoHS要求的eGaN
FET的推動力。EPC2001和EPC2015是宜普公司推出的第一批無鉛且符合RoHS要求的eGaN
FET，我們計劃在今后4個月內讓全部eGaN FET無鉛化，并符合RoHS要求。”宜普公司合伙創始人、首席執行官Alex Lidow表示。
詳情請參考介紹這些下一代器件性能改進的應用筆記：
http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/Product-Training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf
一千片批量時，EPC2001的單價是2.80美元， 而EPC2015的單價是2.48美元。兩種產品都可通過Digi-Key公司立即供貨。
表1——規范額定值摘要
