日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型Thunde
RFET技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業內最低的導通電阻。此外，該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產品中最佳的，該數值是衡量DC/DC轉換器應用中MOSFET性能的優值系數(FOM)。
SiR870DP在4.5V電壓下的7.8mΩ導通電阻是業內最低的。這款MOSFET在10V電壓下的導通電阻也非常低，僅有6mΩ。對于設計者來說，更低的器件導通電阻意味著更低的傳導損耗，同時也使節能的綠色產品減少功耗。
SiR870DP在4.5V電壓下具有低至208 mΩ-nC的FOM，從而能在更高頻率和開關應用中降低傳導和開關損耗。對于采用SO-8封裝器件的設計者，Si4190DY在10V和4.5V電壓下的導通電阻為8.8mΩ和12mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為340 mΩ-nC和220 mΩ-nC，均達到業內最佳水準。
發布的器件針對用于電信的磚式
電源和總線轉換器應用的隔離式DC/DC
電源中初級側開關和次級側同步整流進行了優化。這些MOSFET能在 4.5V電壓下導通，因此各種PWM和柵極驅動IC都能進入到設計者的備選之列。而使用5V額定電壓的IC，不但能夠降低柵極驅動損耗，而且由于無需使用單獨的12V
電源軌，能夠簡化
電源的整體設計。
SiR870DP和Si4190DY經過了100%的Rg和UIS
測試。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，并符合RoHS指令2002/95/EC。
器件規格表:
|
型號 |
SiR870DP |
Si4190DY |
|
封裝 |
PowerPAK SO-8 |
SO-8 |
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VDS (V) |
100 |
100 |
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VGS (V) |
± 20 |
± 20 |
|
RDS(ON) @ 10 V (mΩ) |
6 |
8.8 |
|
RDS(ON) @ 7.5 V (mΩ) |
6.4 |
|
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RDS(ON) @ 4.5 V (mΩ) |
7.8 |
12 |
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FOM @ 10 V (mΩ-nC) |
334 |
340 |
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FOM @ 7.5 V (mΩ-nC) |
272 |
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FOM @ 4.5 V (mΩ-nC) |
208 |
220 |
