瑞薩電子新一代1.1Gb低功耗高速存儲器件
2010-11-09 21:38:33 本站原創瑞薩電子株式會社推出用于網絡設備的1.1Gb存儲器件，面向新一代以太網標準（100GbE及以上）的交換機和路由器。新型網絡存儲器件在單個芯片內實現了低功耗、大容量和高速度等特性。與瑞薩電子現有的288Mb低延遲DRAM器件相比，新器件的存儲容量增加了3倍，高速數據讀寫的隨機循環性能提升了30%，工作頻率提高了1倍。在性能得到大幅提升的同時，新器件的存儲器功耗卻保持在現有產品的同一水平上。
在多媒體智能電話、數字媒體播放器和互聯網驅動數字照相機被廣泛應用的今天，網絡流量正在迅速增加。為了對應這種大流量，需要網絡上的數據設備（如交換機和路由器）能夠在單位時間內處理更多的數據。
因此，從用于將數據暫時保存在網絡設備內的緩沖存儲器，到用于將傳送目標分配給數據的表格存儲器，都越來越需要在增加其容量的同時提高其速度。此外，為了在全球范圍內推動環保型社會的發展，削減網絡設備的功耗也已變得極為重要，因此對降低設備內所使用的存儲器功耗的需求也日益增加。
為了滿足這些需求，瑞薩電子開發了新型存儲器件。該器件在實現更大容量和更高速度的同時，還能通過利用其獨特的工藝和電路技術削減功耗。
存儲器件的主要功能如下。
(1) 利用瑞薩電子的40nm嵌入式DRAM（eDRAM）技術提高容量和速度，削減功耗
新款網絡存儲器件采用瑞薩電子的40nm eDRAM技術和在高速存儲器件開發過程中已積累的電路技術制造而成。因此，與本公司現有的低延遲DRAM產品相比，瑞薩電子新款網絡存儲器件不僅存儲容量（1.1Gb）上提高了3倍，高速數據讀寫操作的隨機循環性能也（13.3ns）提升了30%，同時其最高工作頻率（800MHz）更提高了1倍之多。而在取得上述改進的同時，其功耗卻維持了原有2W的低水平。
(2) 高可靠性的高速接口
與瑞薩電子現有的存儲器件相比，新款網絡存儲器件的工作頻率從400MHz提高到了800MHz。為了讓面向36位數據輸入/輸出（I/O）的800MHz DDR（雙倍數據速率）接口能夠穩定運行，公司降低了I/O電路的電壓，支持1.0V電源，并且采用高端終端來讓操作保持穩定，這在圖形存儲器件領域內得到了廣泛的認可。新款網絡存儲器件提供了各種功能，使運行的可靠性得到保證。例如其提供的可編程片內終端，就整合了面向輸入信號引腳的片上終端器件。此外，新款器件所提供的功能還包括：可以降低數據輸出端噪聲的數據反演功能、可使終端產品制造商根據個別信號引腳的情況調整信號輸入與輸出時序的逐比特去歪斜功能、以及可以在印刷電路板采用蛤殼安裝時輕松控制接線長度的鏡面功能。
(3) 與現有產品相比，其封裝結構相同、尺寸也類似
由于工作頻率的提高，瑞薩電子將封裝內的電源引腳增至38個，在采用與現有產品（其封裝尺寸為11 x 18.5mm）相同封裝結構的同時，卻將封裝尺寸降至14 x 18.5 mm。由于新器件所采用封裝的可靠性已廣泛得到了行業的證實，因此采用這款新器件的系統設計者可以構建更可靠的系統，同時在印刷電路板設計階段還無需面臨電氣特性相關的難題。
2010年4月，NEC電子公司和瑞薩科技公司合并組成瑞薩電子。合并后的瑞薩電子現已成為可以獨立供應面向網絡設備的TCAM（三態內容可尋址存儲器）、低延遲DRAM和普通QDR SRAM存儲器件的半導體存儲器制造商。借助其自身的先進技術，瑞薩電子將繼續開發面向網絡設備的存儲器件，以滿足未來的市場需求。
此次瑞薩電子的新產品有助于節約能源和提升網絡設備的性能，如交換機和路由器。今后，瑞薩電子將通過各種促銷活動向全球市場供應這款器件。
定價和供貨情況
瑞薩電子新款網絡存儲器件（產品編號為µPD48011318、µPD48011336、µPD48011418和µPD48011436）樣品現已開始供應，單價為150美元。預計2011年4月開始批量生產，2012年3月之前月產量將達到1,000,000件。
