Vishay用于植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列新增添兩款器件SMMA511DJ/SMMB912DK
2010-10-25 20:08:10 本站原創(chuàng)日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，將為業(yè)內(nèi)首個用于植入式醫(yī)療應(yīng)用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強化的工藝流程制造，對制造工藝進行了嚴(yán)格控制。
今天發(fā)布的器件是一款采用PowerPAK® SC-70 (SMMA511DJ)封裝的N溝道和P溝道12V MOSFET，及一款采用PowerPAK SC75 (SMMB912DK)封裝的20V雙N溝道MOSFET。通過對每個批次的產(chǎn)品施加強化的質(zhì)量控制閥：統(tǒng)計箱限制(SBL)、良品率限制(SYL)，對晶圓和器件封裝進行部件平均測試(PAT)控制，以及對所有批次的晶圓進行一致可靠性測試，確保新MOSFET獲得區(qū)別于商用器件的高質(zhì)量和高可靠性。嚴(yán)格的SMM醫(yī)療MOSFET工藝流程還包括0.04%的合格質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(AQL)。
新MOSFET的應(yīng)用將包括送藥系統(tǒng)、除顫器、起搏器、助聽器和其他植入式設(shè)備中的負載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為2mmx2mm，SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節(jié)省小型醫(yī)療設(shè)備中的空間，同時其低至0.4Ω的超低導(dǎo)通電阻能夠降低傳導(dǎo)損耗，從而延長電池壽命。
關(guān)鍵的器件規(guī)格見下表：
|
型號 |
SMMA511DJ |
SMMB912DK | |
|
封裝 |
PowerPAK SC-70 |
PowerPAK SC-75 | |
|
類型 |
N溝道 |
P溝道 |
雙N溝道 |
|
VDS (V) |
12 |
- 12 |
20 |
|
RDS(ON) @ 4.5 V (Ω) |
0.040 |
0.070 |
0.215 |
|
RDS(ON) @ 2.5 V (Ω) |
0.048 |
0.100 |
0.268 |
|
RDS(ON) @ 1.8 V (Ω) |
0.063 |
0.140 |
0.375 |
不斷擴大的Vishay Siliconix SMM醫(yī)療MOSFET系列包括采用各種封裝尺寸的N溝道、P溝道，以及N溝道和P溝道成對配置的器件。網(wǎng)址http://www.vishay.com/medical-mosfets/提供完整的詳細信息。
SMMA511DJ和SMMB912DK現(xiàn)可提供樣品，將于2010年4季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
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