LDMOS超高頻射頻功率晶體管BLF888A
2010-09-28 20:04:47 本站原創恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出廣播發射機和工業用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發射機晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號，平均輸出功率120W，效率可達31%以上。21dB高增益、出色的線性度和耐用性（駐波比VSWR＞ 40:1）使BLF888A成為DVB-T等高級數字發射機應用的理想選擇。恩智浦將在2010年9月26日至10月1日法國巴黎舉辦的歐洲微波展（European Microwave Week）上正式推出BLF888A（展位號：194）。
恩智浦50V高壓LDMOS工藝技術和先進的熱管理概念為BLF888A帶來了卓越的性能表現，實現了前所未有的功率密度和0.15K/W超低熱阻新突破。借助BLF888A晶體管，廣播設備制造商可以對現有以及新裝的發射機系統實施優化，提高產品性能，降低總擁有成本。此外，BLF888A與BLF881驅動器晶體管優化整合可以滿足全系列功率放大器產品需求。
恩智浦半導體公司射頻功率產品營銷總監Mark Murphy表示：“BLF888A是一款非常特別的產品，實現了耐用性、寬帶功率與工作效率的優化整合。過去設計人員只能對這些參數進行優化平衡，始終無法提出最佳解決方案?，F在有了BLF888A，全球廣播發射機工程師可以放心優化自己的射頻系統性能，無需再擔心功率晶體管問題?！?/P>
BLF888A提供兩個封裝版本：螺栓式封裝(BLF888A)和無耳式封裝(BLF888AS)，新封裝使PCB設計更加緊湊。另外，BLF888AS還能在更低的結溫條件下焊接。
恩智浦每年射頻器件出貨量超過40億件，是高性能射頻領域的領軍企業，恩智浦領先的LDMOS技術和先進的封裝概念創造了一流的射頻功率晶體管，為各種廣播技術對大功率和耐用性器件需求提供了完美解決方案。
BLF888A和BLF888AS目前已有樣品供應。
