新型2Gb 50納米的DDR2內存
2010-07-29 17:15:41 本站原創美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內存，支持英特爾即將對平板電腦和上網本推出基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內存將成為該市場的 理想存儲解決方案。
美光的2Gb DDR2產品過渡到更先進的 50 納米制程節點， 反映出美光對市場所需的技術的承諾和持續投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提高，采用50納米制程更有助于降低功耗，并減少內存占用（memory footprint）。
美光DRAM營銷副總裁Robert Feurle指出： “美光2Gb 50納米DDR2器件正是英特爾將推的基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail 平臺的最佳搭配。它功耗低、 內存容量高和高性能特性適合繁榮的平板電腦市場。除此之外，美光也正不遺余力地開發50納米系列產品，以繼續支持客戶在這項技術上的創新。”
英特爾移動事業群（Mobile Product Group）總監 Erik Reid 認為，“即將推出的 Intel® 凌動™ ” Oak Trail 平臺是為平板電腦和上網本的輕巧設計而量身打造的。Oak Trail 耗電低且具備適合多任務、豐富媒體（rich media）和互聯網環境的性能，這些特性和優勢結合美光的2Gb 50納米DDR2內存，為滿足雙方客戶的設計需求提供了強大的解決方案。”
美光為客戶開發的DDR2內存維持一貫對質量的高要求，提供優異的性能和多種配置、容量和封裝的選擇。最新型50納米DDR2系列產品包括：
• 從512Mb到2Gb多種容量器件可供選擇，提供X4/X8/X16封裝
• 從1GB到4GB的UDIMM及SODIMM 高容量模塊配置
• 傳輸率高達800 MT/s，為更高的總線速度（Bus Speed）提供遷移路徑
• 支持1.55伏特電壓，降低內存系統耗電
美光預計于2010年9月開始提供2Gb 50納米DDR2內存樣片，計劃于2010年第四季度正式 量產。
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