英特爾發(fā)布采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤
2017-05-03 17:59:33 未知 |
今天，英特爾發(fā)布了英特爾®固態(tài)盤DC P4500系列及英特爾®固態(tài)盤DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤，加強(qiáng)了其擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)的承諾。
作為英特爾®固態(tài)盤數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品家族的最新補(bǔ)充，這兩款產(chǎn)品主要為云存儲解決方案所設(shè)計，可應(yīng)用于軟件定義存儲及融合式基礎(chǔ)設(shè)施。英特爾®固態(tài)盤DC P4500系列專門針對數(shù)據(jù)讀取進(jìn)行優(yōu)化，能讓數(shù)據(jù)中心從服務(wù)器中獲得更多價值并存儲更多數(shù)據(jù)。而針對混合型工作負(fù)載所設(shè)計的英特爾®固態(tài)盤DC P4600系列則可以加速緩存，并使每臺服務(wù)器可運(yùn)行的工作負(fù)載量實(shí)現(xiàn)提升。
基于英特爾3階單元（TLC）3D NAND的英特爾®固態(tài)盤DC P4500系列及英特爾®固態(tài)盤DC P4600系列具備業(yè)界領(lǐng)先的存儲密度，同時使用英特爾全新開發(fā)的控制器、獨(dú)特的固件創(chuàng)新，并采用PCIe/NVMe標(biāo)準(zhǔn)。全新的數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤將實(shí)現(xiàn)性能、容量、可管理性及可靠性的結(jié)合，并為數(shù)據(jù)中心提供顛覆性的價值。以上獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢將在加速向軟件定義存儲遷移的同時加強(qiáng)有效擴(kuò)展性，提升數(shù)據(jù)中心的效率，并在提高服務(wù)水平的同時降低總體擁有成本。初期，英特爾®固態(tài)盤DC P4500系列與英特爾®固態(tài)盤DC P4600系列將發(fā)布容量分別為1TB、2TB、4TB的半高半長的插卡式及U.2接口2.5寸形態(tài)的產(chǎn)品。
此外，英特爾在中國大連也在擴(kuò)建Fab68工廠以擴(kuò)大3D NAND的供給，進(jìn)而滿足最終用戶的存儲需求。2015年10月，英特爾宣布投資建設(shè)大連Fab68工廠并轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND。
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