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P10內存門促使手機儲存eMMC快速轉向UFS

2017-04-20 16:23:49 n
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這兩天P10內存門事件刷爆了網絡, 讓網民受益的是做了一次很好的科普,認識到了手機FLASH存儲的高低端的不同,提升了網民以后購機對高端存儲的述求,從而加快了EMMC快速轉向UFS。以下一篇文章從技術闡述了EMMC快速向UFS轉向的必然性:
在高速數位介面中,并行總線越來越少。原因很簡單,隨著系統時鐘的提升,并行總線在板級建置時已經遭遇到實體瓶頸,抖動、串擾、訊號偏移、傳輸路徑不完美等因素,都將大幅降低并行總線持續建立時間視窗,從而限制系統頻寬的進一步提升。

在高速串列/解串器(Serdes)技術取得突破后,新式串行總線越來越流行,以USB和PCIe為代表的串行總線在板級以串行方式連接、在晶片內部將數據解碼成并行數據,從而使得板級資料線路之間的關系去藕合,既大幅降低了板級佈線難度,又突破了系統頻寬限制。因此,新式串行總線正如火如荼地進展,在個人電腦(不含工控與特殊用途電腦)領域,PCIe介面已經完全取代PCI介面,SATA介面也完全取代了PATA介面。

不過,在手機儲存介面方面,嵌入式多媒體卡(eMMC)規格的市佔率仍然較高,原因之一是移動裝置對于儲存性能的要求較個人電腦(PC)更低。然而,隨著游戲與視訊應用在行動裝置上的普及,以及手機處理器性能的提升,eMMC的性能已經不能滿足行動裝置對于記憶體讀寫性能的要求,新一代的通用快閃記憶體儲存(UFS)規格應運而生。

UFS的性能優勢

多媒體卡(MMC)標準于1997年問世,說來有趣,MMC最初的標準就是一根數據線,后來擴展到8根數據線,eMMC標準則將快閃記憶體晶粒和控制器放入更緊密的球閘陣列(BGA)封裝,以適應行動裝置對封裝尺寸的要求。首批eMMC產品于2007年正式推向市場,到目前為止,JEDEC的最新標準為eMMC 5.1。

如前所述,并行總線在速度增加到一定值時將無法滿足時序要求,eMMC標準單根數據線的極限速度為400Mbps左右,8位元數據線標準eMMC介面一次傳輸峰值速度為400百萬位元組每秒(400MB/s)。相形之下,UFS2.0單通道峰值速度為5.8Gpbs,現有標準為雙通道,所以速度可達1,160MB/s,將近eMMC標準的3倍。
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圖1:e-MMC與UFS介面比較

而且,由于eMMC是半雙工模式,主、從設備之間數據不能同時互動,而UFS是全雙工模式,便于傳輸性能的提升。所以采用UFS介面的系統啟動時間更快,讀寫回應也更迅速。根據東芝(Toshiba)的資料,在連續讀取、隨機讀取、連續寫入與隨機寫入等操作中,UFS 2.1產品基本能夠達到eMMC 5.1產品的1-3倍。UFS新一代標準還將大幅提高讀寫性能,但eMMC性能再提升的空間并不大。

UFS規格以先進的Serdes技術為基礎,其讀寫性能的大幅提升并未以大量增加功耗為代價。由于UFS訊號電壓擺幅只有200毫伏(mV),而eMMC標準是1.8伏(V)或3.3V,因此兩種產品待機功耗相差無幾,而且從第三代到第五代,每一代UFS產品功耗水準都得到了提升。

從eMMC轉向UFS介面

從并行總線換到串行總線,減少了高速數據線的連接,簡化了硬件工程師的工作。

以東芝的產品為例,UFS封裝與eMMC封裝一致,用戶可以選擇對應的封裝直接取代。相較于第三代UFS產品使用三電源供電,東芝的第四代與第五代UFS產品不必再使用1.2V電源,從而使記憶體模組的電源設計更簡單。
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圖2:第四代以后的UFS記憶體只需要兩個電源

在韌體層面,相較于eMMC產品,新一代的UFS產品已經將除錯、壞塊管理、損耗平衡以及垃圾回收等功能一併封裝,為用戶在快閃記憶體應用開發上節省了大量的時間。

為了方便用戶除錯,有些UFS產品還提供了板級除錯接腳。以東芝第5代UFS產品為例,使用者只需將2個除錯接腳連接到PCB的除錯工具介面即可,不需要額外增加電阻電容。而當出現問題時,用戶只需利用除錯工具透過這2個接腳連到UFS記憶體上進行除錯。

既然UFS較eMMC的性能更大幅提升,更換設計又不複雜,那么當UFS產品成熟時,產品替代進程將非???。根據東芝對市場的預測,2017年上半年的旗艦型手機將普遍採用UFS介面。從2017年下半年開始,中階手機也將逐步改用UFS快閃記憶體,UFS介面在高階平板中的普及率也將過半。
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圖3:UFS市場前景

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