SAMSUNG推出高性能20納米級NAND閃存存儲器
2010-05-17 17:06:27 本站原創SAMSUNG推出業界首個更高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32 Gb MLC NAND產品采用尖端技術，擴展SAMSUNG公司的存儲器卡解決方案,用于智能手機、高端IT應用和高性能存儲器卡。
與30納米級 MLC NAND相比，Samsung的20納米級 MLC NAND提高50%的生產水平。基于20納米級、8GB和更高密度、SD卡的寫入性能比30納米級 NAND提高30%，器件提供10級額定速度（讀取速度為20MB/s，寫入速度為10MB/s）。通過采用尖端工藝、設計和控制器技術，與30納米級 NAND相比，Samsung還獲得安全可靠的性能。
用20納米級的存儲器卡將提供4GB-64GB的密度。Samsung及時推出了其高性能優質NAND，支持高密度智能手機、高端IT應用和高性能 存儲器卡的不斷增長的存儲器要求。
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1145
