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面向移動基站發射器的GaN器件為5G鋪平道路

2015-09-13 20:22:04 未知

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在氮化鎵對SiC RF功率晶體管系列器件均在歐洲微波周2015年推出，在巴黎舉行。

5G technology with higher data volumes. " style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 宋體; font-size: 14px; line-height: 26px;">據英飛凌，以及改善基礎設施建設，以支持目前的蜂窩網絡的經濟性，他們鋪平道路，以更高的數據量過渡到5G技術。

RF功率晶體管實現更高的10％的效率和LDMOS晶體管今天常用的五倍功率密度，聲稱該公司。這意味著，以更小的空間和功耗要求基站發射器目前使用的功率放大器，其無論是在1.8至2.2或2.3至2.7GHz的頻率范圍內工作。

它們具有的LDMOS的射頻帶寬的兩倍，從而使一個功率放大器可支持多個工作頻率。他們還增加了瞬時帶寬可用于發射器，它可以讓運營商提供采用了4.5G蜂窩網絡中指定的數據聚合技術更高的日期。

工程樣片和參考設計是根據保密協議提供給客戶。
該公司還表示，未來的SiC器件的GaN支持5G蜂窩頻段高達6GHz的。