IDT擴展RF電壓可變衰減器范圍至6GHz線性改善1000倍
2015-08-17 21:18:38 未知集成設備圣何塞，加利福尼亞，美國技術公司（IDT）又增加了兩個新成員，其不斷增長的硅基RF電壓可變衰減器（VVA）系列 - 它們提供的模擬控制需要精確衰減應用 - 擴大該公司的頻率覆蓋范圍為1MHz至6GHz。
就像家庭中的其他成員，在F2255和F2258器件提供什么自稱是業界領先的低插入損耗和高線性度。即將在緊湊的3mm x 3mm，16引腳TQFN封裝，新器件可提供具有競爭力的解決方案，大約一半的插入損耗，IP3（三階截取點）的線性性能1000X（30分貝），比競爭砷化鎵更好的砷化鎵（GaAs）裝置中，來計算，并顯示出兩端的電壓控制范圍內的線性以dB衰減特性。它們的低插入損耗降低了射頻鏈的路徑損耗，而他們的高線性度提高了系統的數據傳輸速率。
這些新器件匹配流行腳印和適于基站（2G，3G和4G），微波的基礎設施，公共安全，便攜式無線通信/數據設備，測試/ ATE設備，軍事系統，JTRS無線電和HF，VHF和UHF無線電。
“相比砷化鎵的解決方案IDT的硅基RF產品提供卓越的性能，在這種情況下，高達30dB的線性改善，”克里斯·斯蒂芬斯，IDT的射頻事業部總經理說。 “這些設備是在市場上的最低插入損耗VVAs，并且具有最線性衰減控制特性”。
IDT聲稱，通過使用硅基射頻半導體技術，其衰減器提供了一種有力的替代舊的基于GaAs的技術。硅提供了更強大的靜電放電（ESD）保護，更好的潮濕敏感度等級（MSL），提高了散熱性能，更低的功耗和公認的可靠性，該公司補充道。
在F2258進行比較到管腳兼容的GaAs競爭者，該裝置具有一個輸入IP3高達65dBm與35dBm的，33分貝/ V與53分貝/ V，最小的回波損耗高達12.5分貝與7分貝的6000MHz的最大衰減斜率，并105℃與85℃的最高工作溫度范圍。在F2255支持的頻率范圍向下到1MHz并具有33分貝/ V的最大衰減斜率。
