Diodes 推出一對雙N通道增強型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX
2015-07-20 21:22:58 未知 |
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對雙N通道增強型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX，為電池充電電路提供緊湊型雙向低損耗開關。新產品的目標終端市場包括智能手機、平板電腦、照相機和媒體播放器等便攜式產品使用的單芯及雙芯鋰電池充電器 。
DMN2014LHAB及DMN2011UFX為雙共汲極配置MOSFET，在啟動后可驅動雙向電流充電或工作使用；在關斷后則通過防止過度充電或漏電流過量來保護電池。DMN2014LHAB及DMN2011UFX具有20V的擊穿電壓額定值，還分別配備少于13mΩ和9.5mΩ的低導通電阻，可在正常工作下降低電池功耗。最高達80A的峰值電流使開關在保護電路啟動前就能簡單解決短路問題，少于1V的低柵極閾值電壓則確保器件能夠在低至1.8V驅動電壓下正常工作。
DMN2014LHAB采用2mm x 3mm DFN2030微型封裝，DMN2011UFX則采用2mm x 5mm DFN2050封裝，為設計人員提供外形小巧的解決方案，從而利用省下來的空間來存放額外的電芯，并提高電池容量。
兩款產品均以三千個為出貨批量。
