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EMIPAK封裝的可擴展器件適用于NPC拓撲、三電平逆變器和多級升壓轉換器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月16 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出專門為串接太陽能逆變器和中功率不間斷電源(UPS)設計的新款IGBT電源模塊。Vishay Semiconductor模塊在采用壓合技術的單片封裝內(nèi)組合了超快Trench IGBT、高效HEXFRED®和FRED Pt®二極管，用熱敏電阻輕松實現(xiàn)熱管理，為基于三電平中性點鉗位(NPC)拓撲和交叉多通道MPPT（最大功率點跟蹤）的升壓轉換器提供了完整的集成方案。

通過集成設計，今天發(fā)布的這些器件可幫助設計者縮短產(chǎn)品上市時間，提高系統(tǒng)整體性能。VS-ENQ030L120S的集電極到發(fā)射極的擊穿電壓為1200V，集電極電流達到30A，適合三電平NPC拓撲。VS-ETF075Y60U和VS-ETF150Y65U可用于三電平逆變器級，集電極電流分別為75A和150A，集電極到發(fā)射極的擊穿電壓分別為600V和650V，可在+175℃高溫下工作。15A VS-ETL015Y120H適用于雙路升壓轉換器，集電極到發(fā)射極的擊穿電壓為1200V，采用高效硅啟動二極管，集成62A旁路二極管、電池板短路全電流反向極性保護二極管。所有器件均采用模塊化和可擴展設計，以適應高更功率的應用。

電源模塊采用EMIPAK-1B (VS-ENQ030L120S)和EMIPAK-2B (VS-ETF075Y60U，VS-ETF150Y65U和VS-ETL015Y120H)封裝，無焊膏壓合技術簡化了PCB安裝，同時外露的DBC襯底能夠?qū)崿F(xiàn)更低的熱阻。器件具有較低的內(nèi)電感和開關損耗，工作頻率可達20kHz。模塊的布局經(jīng)過優(yōu)化，使寄生參數(shù)最小化，以實現(xiàn)更好的EMI性能。

器件符合RoHS，通過UL的file E78996認證(正在申請VS-ENQ030L120S認證)。Vishay的電源模塊符合業(yè)內(nèi)標準，可根據(jù)特定應用的要求提供定制方案。

新IGBT電源模塊現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。