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Vishay推出新款超小外形的高速紅外發(fā)光二極管

2013-11-07 12:20:14 本站原創(chuàng)
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高速器件采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm SMD側視封裝和GaAIAs表面發(fā)射器以及MQW技術,發(fā)光強度達到82mW/sr

 

賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 11 7 日前,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用3.2mm x 2.51mm x 1.2mm透明SMD側視封裝的新款940nm高速紅外發(fā)光二極管---VSMY14940VSMB14940。這兩款器件基于GaAIAs表面發(fā)射器和多量子井(MQW)技術,具有高發(fā)光強度和光功率,以及快速的開關時間。

 

Vishay SemiconductorsVSMY14940VSMB14940高度極低,半強角只有±9°,非常適合空間受限的終端產品中的遙控應用,如智能手機和平板電腦等移動設備。另外,這些器件還可以用作光柵和煙霧探測器的高強度發(fā)射器。

 

基于GaAIAs表面發(fā)射器芯片技術,VSMY1494070mA驅動電流下實現(xiàn)了82mW/sr的極高發(fā)光強度,10ns的快速開關時間,以及1.48V的正向電壓。在需要較低發(fā)光強度的應用里,采用GaAIAs MQWVSMB14940能夠提供35mW/sr的發(fā)光強度,15ns的開關時間和低至1.33V的正向電壓。

 

今天推出的發(fā)光二極管符合RoHSVishay Green標準,無鹵素,無鉛,可采用溫度達260℃的無鉛焊接。器件可以在車間里存放168小時,潮濕敏感度等級(MSL)達到J-STD-020規(guī)定的3級。

 

器件規(guī)格表:

型號

VSMY14940

VSMB14940

技術

GaAIAs, 表面發(fā)射器

GaAIAs, MQW

發(fā)光強度 (mW/sr)

82

35

發(fā)光功率 (mW)

40

28

正向電壓 (V)

1.48

1.33

開關時間 (ns)

10

15

 

 

新紅外發(fā)光二極管現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產,大宗訂貨的供貨周期為六周到八周。

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