IR新型-30V P溝道功率MOSFET使設計更簡單靈活
2010-09-16 16:37:16 本站原創(chuàng)全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配廣泛的功率要求。P溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負載開關(guān)應用非常理想的解決方案。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“相比上一代產(chǎn)品，這個新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力，更為客戶提供廣泛的導通電阻選擇，以適應他們對溫度和成本的要求。同時，P 溝道技術(shù)也可以簡化電路設計?！?/P>
P 溝道 MOSFET器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 標準，所采用的材料不含鉛，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
產(chǎn)品規(guī)格
|
器件編號 |
封裝 |
BV (V) |
最大 Vgs (V) |
10V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
4.5V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
|
IRF9310 |
SO-8 |
-30 |
20 |
3.9 / 4.6 |
5.8 / 6.8 |
|
IRF9317 |
SO-8 |
-30 |
20 |
5.4 / 6.6 |
8.3 / 10.2 |
|
IRF9321 |
SO-8 |
-30 |
20 |
5.9 / 7.2 |
9.3 / 11.2 |
|
IRF9328 |
SO-8 |
-30 |
20 |
10.0 / 11.9 |
16.1 / 19.7 |
|
IRF9332 |
SO-8 |
-30 |
20 |
13.6 / 17.5 |
22.5 / 28.1 |
|
IRF9333 |
SO-8 |
-30 |
20 |
15.6 / 19.4 |
25.6 / 32.5 |
|
IRF9335 |
SO-8 |
-30 |
20 |
48 / 59 |
83 / 110 |
|
IRF9362 |
SO-8 (dual) |
-30 |
20 |
17.0 / 21.0 |
25.7 / 32 |
新器件現(xiàn)已接受訂單，數(shù)據(jù)和應用說明已刊登于 IR 的網(wǎng)站 http://www.irf.com 。
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