英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會（2010年5月4日至6日）上，推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT 模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術，英飛凌可滿足具備更高功率循環的新興應用的需求，并為提高功率密度和實現更高工作結溫鋪平道路。
英飛凌副總裁兼工業
電源部總經理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領域的技術領先地位。英飛凌在功率循環周次方面，樹立了行業新標桿，可實現更高的工作結溫。這些全新技術可滿足各種要求苛刻的應用的需求，例如商用車、工程車和農用車或風力發電。”
全新.XT技術相對于現有技術，可使IGBT模塊的使用壽命延長10倍，或者使輸出功率提高25％。這種新技術可支持高達200°C的結溫。
功率循環會造成溫度變化，并導致IGBT模塊內部連接部位產生機械應力。
芯片各層的熱膨脹系數不同，會造成熱應力，導致材料疲勞和損壞。全新.XT技術涵蓋IGBT模塊內部有關功率循環功能的所有關鍵點：
芯片正面的鍵合線、
芯片背面的焊接（
芯片至DCB）和DCB（直接鍵合銅）至基板的焊接。
這種全新的連接技術經過精心開發，可滿足英飛凌現有的多數封裝和全新的模塊封裝的要求。全部三種新連接技術都可是基于標準工藝，十分適用于批量生產。
