英飛凌全新高壓MOSFET高效支持大小功率應用
2017-04-10 16:45:46 未知英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）壯大現有的CoolMOS™技術產品陣容，推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7)系列。這兩個產品系列的擊穿電壓高達600 V，具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實現非常出色的功率密度。
600 V CoolMOS P7：高效率和易用性的優化組合
新推出的P7樹立效率標桿并具備更高的性價比，可大大簡化設計。該器件的目標應用包括充電器、適配器、照明裝置、電視、PC電源、太陽能、服務器、電信和電動汽車充電等，其功率級別從100 W到15 kW不等。在不同的拓撲中，600 V CoolMOS P7能夠將目標應用的效率提高1.5%，并且，相比競爭產品而言，工作溫度最多可降低4.2 °C。
表面貼裝（SMD）和通孔封裝型號的導通電阻RDS(on) 范圍均為37 - 600 mΩ，因此，600 V CoolMOS P7適合功率范圍很寬的多種應用。此外，超過2 kV（HBM）的出色的防靜電能力可保護器件免受生產中的靜電放電損壞，從而有效提高制造品質。最后，堅固耐用的體二極管能在LLC電路中硬換向事件期間保護器件。
600 V CoolMOS C7 Gold(G7)：一流的FOM采用創新型無引線SMD TO封裝
G7具備較低的導通電阻RDS(on)、最小的柵極電荷QG，同時存儲于輸出電容的能量減少，并具備無引線TO封裝的4管腳開爾文源極能力。這可以最大限度降低PFC和LLC電路中的損耗，并將性能提升0.6%，同時提高PFC電路的滿載效率。G7只有1 nH的極低源極寄生電感,也有助于提高效率。
G7采用無引線TO封裝，熱性能得以改善，適用于大電流的設計，同時SMD工藝有助于降低安裝成本。此外，600 V G7具備業界最低的導通電阻RDS(on) ，從28 mΩ到150 mΩ不等。相比傳統的D2PAK封裝而言，該器件的表面積、高度和占板空間分別減小30%、50%和60%。所有這些特性，使該器件成為服務器、電信、工業和太陽能等應用領域實現最高效率并樹立功率密度標桿的理想選擇。
供貨情況
600 V CoolMOS P7與600 V CoolMOS C7 Gold系列器件已開始批量生產，可訂購樣品。
