德州儀器推出面向高電流DC/DC應用的功率MOSFET
2010-01-13 19:17:16 本站原創采用創新封裝手段的DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET在標準封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流提高 50%
2010 年 1 月13日，北京訊
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。更多詳情，敬請訪問：www.ti.com.cn/dualcool-prcn 。
該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時顯著節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種終端應用，其中包括臺式個人計算機、服務器、電信或網絡設備、基站以及高電流工業系統等。
TI 高級副總裁兼電源管理全球經理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎設施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”
DualCool NexFET 功率 MOSFET 的主要特性與優勢：
• 作為單相35A 同步降壓轉換器的 MOSFET， 采用一個 MOSFET 即可滿足高電流 DC/DC 應用中的高、低側兩種開關需求；
• 增強型封裝技術可將封裝頂部熱阻從10 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，從而將該封裝所能承受的功耗提升 80%；
• 高效的雙面散熱技術可將允許通過 FET 的電流提高 50%，設計人員無需增加終端設備尺寸，即可高度靈活地使用需要更高電流驅動的處理器；
• 業界標準 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝可簡化設計、降低成本，與使用兩個標準5x6封裝相比，可節省 30mm2的空間。
