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資訊列表

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  消息稱：臺積電、三星 3納米雙雙受挫！研發(fā)難度倍增

  據(jù)Digitimes消息稱，臺積電、三星電子大舉宣布了3納米計劃，但近期市場傳出，臺積電采用FinFET技術(shù)的3納米制程進度已出現(xiàn)延遲跡象，而率先在3納米世代導(dǎo)入GAA技術(shù)的三星，亦已面臨技術(shù)卡關(guān)。

  半導(dǎo)體/EDA

  2021-01-02
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  中科大郭光燦院士團隊首次實現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)

  中科大郭光燦院士團隊在量子存儲領(lǐng)域取得重要進展。該團隊李傳鋒、周宗權(quán)研究組首次實現(xiàn)了按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲器。該成果12月28日發(fā)表在國際知名期刊《物理評論快報》上。

  半導(dǎo)體/EDA

  2021-01-01
• 中芯國際公告：梁孟松繼續(xù)留任！

  12月31日晚間，中芯國際最新公布的“董事名單與其角色和職能”公告當(dāng)中，梁孟松博士仍在其中，職務(wù)仍為聯(lián)合首席執(zhí)行官。

  半導(dǎo)體/EDA

  2021-01-01
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  環(huán)球晶圓生產(chǎn)線已滿負荷運行，擬提高現(xiàn)貨市場硅晶圓價

  12 月 31 日消息，據(jù)英文媒體報道，芯片代工市場需求強勁，也拉升了對硅晶圓的需求，硅晶圓制造商環(huán)球晶圓，已在計劃提高現(xiàn)貨市場的硅晶

  半導(dǎo)體/EDA

  2020-12-31
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  讓芯片密度再翻翻，摩爾定律再延續(xù)！英特爾展示堆疊式

  如今幾乎所有數(shù)字元件背后的邏輯電路都依賴于兩種成對的晶體管– NMOS 和PMOS。相同的電壓信號會將其中一個晶體管打開，而將另一個關(guān)閉。

  半導(dǎo)體/EDA

  2020-12-31
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  突破：中欣晶圓 12 英寸第一枚外延片正式下線

  12月30日消息 根據(jù)中欣晶圓官方的消息，中欣晶圓12英寸第一枚外延片正式下線，成為國內(nèi)首家獨立完成12英寸單晶、拋光到外延研發(fā)、生產(chǎn)的企

  半導(dǎo)體/EDA

  2020-12-31
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  美媒：芯片產(chǎn)業(yè)成中國新“金礦”

  美國《紐約時報》網(wǎng)站12月24日發(fā)文稱，中國極力追求芯片獨立，從某種程度上講，中國希望像在玩具、太陽能板等領(lǐng)域那樣在芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)跨越式

  半導(dǎo)體/EDA

  2020-12-31
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  臺積電等加產(chǎn)支持，索尼 PS5 明年產(chǎn)量有望達到 1800 萬

  12 月 29 日消息，在 AMD 獲得臺積電更多 7nm 工藝產(chǎn)能、以增加索尼 PS5 所需處理器供應(yīng)量的消息出現(xiàn)之后不久，又出現(xiàn)索尼 PS5

  半導(dǎo)體/EDA

  2020-12-30
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