科學家發現InGaAs可用于制造更小更節能的非硅基晶體管
2020-12-10 09:04:37 cnBeta.COM
但若遭遇電子束縛，就會發生即使接通了電壓，其中也只有相當有限的電流經過的情況。當遇到這種氧化物陷阱時，晶體管的性能就會受到極大的影響。
好消息是，通過審視晶體管的頻率依賴性（即電子脈沖通過晶體管的傳輸速率），我們得以找到問題所在。
盡管在較低的頻率下，納米級 InGaAs 晶體管的性能似乎出現了滑坡，但它還是能夠在 1GHz 或更高頻率下正常工作。
Cai 補充道，當以很高的頻率操作這些設備時，我們留意到其性能表現確實相當出色，較硅晶體管展現出了相當高的競爭潛力。
據悉，Cai 將在本月的 IEEE 國際電子設備會議上詳細介紹這項新發現。不過受 COVID-19 大流行的影響，會議形式已改成了在線上舉辦。
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