富士通和科技：將推碳納米管內(nèi)存：55nm工藝 比閃存快一千倍
2016-09-03 17:56:42 n
在 納米技術(shù)研究領(lǐng)域，碳納米管（也叫富勒烯，簡稱CNT）是一種很獨(dú)特的材料，直徑只有人類頭發(fā)的5萬分之一，能導(dǎo)熱導(dǎo)電，硬度是鋼鐵的50倍，話說小編學(xué) 生時(shí)代就經(jīng)常聽到以碳納米管為基礎(chǔ)的各種高科技，包括各種神器的電池。在存儲(chǔ)領(lǐng)域，碳納米管通過硅基沉底也能實(shí)現(xiàn)0、1變化，因此也可以存儲(chǔ)芯片，而且是 非易失性的，斷電也不會(huì)清除數(shù)據(jù)。
NRAM存儲(chǔ)的優(yōu)勢
相比普通閃存，NRAM存儲(chǔ)芯片的優(yōu)勢太多了，讀寫速度是普通閃存的1000倍（Nanteo官網(wǎng)上說是1000倍，圖表上是100倍），同時(shí)功耗更低，可靠性、耐用性更強(qiáng)，成本更低。
Nantero這次與富士通合作，后者將把NRAM內(nèi)存整合到自家芯片中，預(yù)計(jì)2018年底推出，制程工藝為55nm。
不過話說回來，NRAM還是新技術(shù)，Nantero公司從2006年就說生產(chǎn)碳納米管內(nèi)存了，但是一直沒什么進(jìn)展。即便是跟富士通達(dá)成合作了，量產(chǎn)的NRAM芯片還是256Gb（32MB）大小的，容量還是太小了，只適合一些嵌入式領(lǐng)域。
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