俄羅斯衛(wèi)星新聞網(wǎng)1月16日報(bào)道，俄羅斯遠(yuǎn)東聯(lián)邦大學(xué)科研工作者奧列格•特列季亞科夫作為俄日美德國際研究團(tuán)隊(duì)的一員，發(fā)現(xiàn)斯格明子霍爾效應(yīng)(skyrmion Hall effect)，這使得制造更高速、廉價(jià)、可靠、非易失性的電子儲(chǔ)存器成為可能。科學(xué)家們的工作成果發(fā)布在《自然•物理學(xué)》(Nature physics)雜志上。
奧列格•特列季亞科夫稱，“斯格明子”可能是未來磁存儲(chǔ)技術(shù)的基礎(chǔ)。斯格明子的間距可僅為幾納米，與此同時(shí)，現(xiàn)代硬盤的磁疇最少為100納米。此外，以斯格明子為基礎(chǔ)的內(nèi)存甚至可在缺少電源的情況下保存信息。
特列季亞科夫的同事、俄羅斯遠(yuǎn)東聯(lián)邦大學(xué)的亞歷山大•薩馬爾達(dá)克解釋說，現(xiàn)在科學(xué)家們已在基于斯格明子研發(fā)新的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存和處理系統(tǒng)。這樣的儲(chǔ)存器元件造價(jià)更低，并且工作速度更快，更可靠。未來它們可用于生產(chǎn)電腦、智能手機(jī)以及能夠長時(shí)間工作無需充電的傳感器。
