英特爾和美光明年推新型芯片 速度提升千倍
2015-07-29 20:14:23 n
騰訊科技訊 7月29日，國(guó)外媒體報(bào)道稱，英特爾和美光科技宣布新型內(nèi)存芯片，這種芯片可以大幅提升計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)和其他高科技產(chǎn)品的性能。
兩家公司表示，這種芯片比目前多數(shù)移動(dòng)設(shè)備采用的NAND閃存芯片快1,000倍，而存儲(chǔ)容量是主流電子設(shè)備采用的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的10倍多。英特爾和美光計(jì)劃于明年推出新型內(nèi)存芯片。
英特爾和美光透露，這項(xiàng)技術(shù)稱為“3D Xpoint”。雖然速度無(wú)法與DRAM相提并論，但與DRAM芯片不同，即使在斷電情況下，新型芯片依然可用保留數(shù)據(jù)（與NAND芯片相似）。
英特爾和美光高層預(yù)計(jì)，新型芯片擁有極快的運(yùn)行速度，這個(gè)優(yōu)勢(shì)可以催生出新式應(yīng)用，并讓其他領(lǐng)域受益，尤其是那些分析海量數(shù)據(jù)的領(lǐng)域，例如語(yǔ)音識(shí)別、金融詐騙檢測(cè)和基因組學(xué)。
美光首席執(zhí)行官馬克·德肯(Mark Durcan)表示：“這真是一場(chǎng)革命。”
近年來(lái)，很多公司宣稱自己在內(nèi)存芯片領(lǐng)域取得巨大進(jìn)展。因此，業(yè)界可能會(huì)激烈爭(zhēng)辯新型內(nèi)存技術(shù)的重要性。
初創(chuàng)公司Crossbar戰(zhàn)略營(yíng)銷和商業(yè)發(fā)展副總裁沙利文·杜布瓦（Sylvain Dubois）表示，英特爾和美光似乎效仿了Crossbar的電阻式RAM技術(shù)。“它們的技術(shù)與我們非常像。”他說(shuō)。
Everspin Technologies等公司認(rèn)為，在DRAM級(jí)運(yùn)行速度和持久數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，它們已經(jīng)取得領(lǐng)先。
從2006年開(kāi)始，英特爾就與美光合作。美光同樣生產(chǎn)DRAM芯片。最近有報(bào)道稱，紫光集團(tuán)計(jì)劃斥資230億美元收購(gòu)美光。美光尚未對(duì)此發(fā)表評(píng)論。
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC預(yù)計(jì)，今年全球內(nèi)存市場(chǎng)規(guī)模達(dá)785億美元。由于在縮小內(nèi)存電路大小方面存在技術(shù)障礙，內(nèi)存制造商一直尋求突破。英特爾、美光等NAND芯片制造商已經(jīng)表示，它們已經(jīng)不再追求這個(gè)目標(biāo)，轉(zhuǎn)而在芯片中堆積電路。
英特爾和美光沒(méi)有公布3D Xpoint技術(shù)細(xì)節(jié)，包括新型芯片所采用的主要材料。但它們表示，新型芯片以特有的方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。此外，這種存儲(chǔ)方式可以單獨(dú)管理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元。
英特爾高級(jí)副總裁羅伯·克雷科（Rob Crooke）表示：“很多人認(rèn)為這種技術(shù)不可能實(shí)現(xiàn)。”
根據(jù)初步計(jì)劃，英特爾和美光將生產(chǎn)可存儲(chǔ)128Gb數(shù)據(jù)的雙層芯片，存儲(chǔ)容量與部分NAND芯片相當(dāng)。雙方還計(jì)劃通過(guò)堆積更多的電路，進(jìn)一步提升存儲(chǔ)容量。
芯片客戶傾向于選擇多家供應(yīng)商同時(shí)提供的產(chǎn)品，如果一條產(chǎn)品線存在技術(shù)問(wèn)題或生產(chǎn)問(wèn)題，芯片客戶可以選擇其他產(chǎn)品線，從而減低風(fēng)險(xiǎn)。英特爾和美光將于今年底投產(chǎn)新型芯片樣品，但雙方計(jì)劃單獨(dú)控制這項(xiàng)技術(shù)。這項(xiàng)舉措可能阻礙新技術(shù)發(fā)展。
但市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TECHnalysis Research分析師鮑勃·奧多奈爾(Bob O'Donnell)認(rèn)為，英特爾和美光是少數(shù)幾家能夠消除客戶擔(dān)憂的芯片制造商。
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