英特爾和美光明年推新型芯片 速度提升千倍
2015-07-29 20:14:23 n
騰訊科技訊 7月29日，國外媒體報道稱，英特爾和美光科技宣布新型內存芯片，這種芯片可以大幅提升計算機、智能手機和其他高科技產品的性能。
兩家公司表示，這種芯片比目前多數移動設備采用的NAND閃存芯片快1,000倍，而存儲容量是主流電子設備采用的DRAM（動態隨機存取存儲器）的10倍多。英特爾和美光計劃于明年推出新型內存芯片。
英特爾和美光透露，這項技術稱為“3D Xpoint”。雖然速度無法與DRAM相提并論，但與DRAM芯片不同，即使在斷電情況下，新型芯片依然可用保留數據（與NAND芯片相似）。
英特爾和美光高層預計，新型芯片擁有極快的運行速度，這個優勢可以催生出新式應用，并讓其他領域受益，尤其是那些分析海量數據的領域，例如語音識別、金融詐騙檢測和基因組學。
美光首席執行官馬克·德肯(Mark Durcan)表示：“這真是一場革命。”
近年來，很多公司宣稱自己在內存芯片領域取得巨大進展。因此，業界可能會激烈爭辯新型內存技術的重要性。
初創公司Crossbar戰略營銷和商業發展副總裁沙利文·杜布瓦（Sylvain Dubois）表示，英特爾和美光似乎效仿了Crossbar的電阻式RAM技術。“它們的技術與我們非常像。”他說。
Everspin Technologies等公司認為，在DRAM級運行速度和持久數據存儲芯片領域，它們已經取得領先。
從2006年開始，英特爾就與美光合作。美光同樣生產DRAM芯片。最近有報道稱，紫光集團計劃斥資230億美元收購美光。美光尚未對此發表評論。
市場研究機構IDC預計，今年全球內存市場規模達785億美元。由于在縮小內存電路大小方面存在技術障礙，內存制造商一直尋求突破。英特爾、美光等NAND芯片制造商已經表示，它們已經不再追求這個目標，轉而在芯片中堆積電路。
英特爾和美光沒有公布3D Xpoint技術細節，包括新型芯片所采用的主要材料。但它們表示，新型芯片以特有的方式存儲數據。此外，這種存儲方式可以單獨管理數據存儲單元。
英特爾高級副總裁羅伯·克雷科（Rob Crooke）表示：“很多人認為這種技術不可能實現。”
根據初步計劃，英特爾和美光將生產可存儲128Gb數據的雙層芯片，存儲容量與部分NAND芯片相當。雙方還計劃通過堆積更多的電路，進一步提升存儲容量。
芯片客戶傾向于選擇多家供應商同時提供的產品，如果一條產品線存在技術問題或生產問題，芯片客戶可以選擇其他產品線，從而減低風險。英特爾和美光將于今年底投產新型芯片樣品，但雙方計劃單獨控制這項技術。這項舉措可能阻礙新技術發展。
但市場研究機構TECHnalysis Research分析師鮑勃·奧多奈爾(Bob O'Donnell)認為，英特爾和美光是少數幾家能夠消除客戶擔憂的芯片制造商。
