美國專利(12/774,465)“在器件上生長異質外延單晶體或大粒徑半導體薄膜的方法”(Methods of Growing Heteroepitaxial Single Crystal or Large Grained Semiconductor Films and Devices Thereon)揭示了改良的氣液固薄膜生長技術,該技術首次實現了采用硅、鍺和氮化鎵等各種材料在廉價襯底上生長的高品質半導體薄膜的低溫沉積。 具有成本效益、類似納米線的薄膜生長工藝,其中包括低共熔合金,非常適合大規模工業應用,可采用當前用于多個行業的電子束和化學氣相沉積等普通沉積工藝實現。