美國專利(12/774,465)“在器件上生長異質(zhì)外延單晶體或大粒徑半導(dǎo)體薄膜的方法”(Methods of Growing Heteroepitaxial Single Crystal or Large Grained Semiconductor Films and Devices Thereon)揭示了改良的氣液固薄膜生長技術(shù)，該技術(shù)首次實(shí)現(xiàn)了采用硅、鍺和氮化鎵等各種材料在廉價(jià)襯底上生長的高品質(zhì)半導(dǎo)體薄膜的低溫沉積。 具有成本效益、類似納米線的薄膜生長工藝，其中包括低共熔合金，非常適合大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用，可采用當(dāng)前用于多個(gè)行業(yè)的電子束和化學(xué)氣相沉積等普通沉積工藝實(shí)現(xiàn)。
