GDDR3顯存仍在努力：海力士首創2xnm 4Gb
2012-09-20 21:23:21 本站原創在中高端顯卡上，GDDR5顯存已經全面普及，但對于低端市場，GDDR3乃至是DDR3仍是最佳選擇。韓國海力士(SK Hynix)今天宣布，已經成功開發出業內第一款2xnm工藝的GDDR3 DRAM顯存顆粒，單顆容量4Gb(512MB)。
該顯存工作電壓首次降至1.35V，相比之前的3xnm 1.5V產品可以節省30％的功耗，更加環保，尤其適合低功耗筆記本，能為之帶來桌面級的性能，同時也繼續支持標準的1.5V電壓。
這種顯存的1.35V電壓工作頻率為1.8GHz，16-bit I/O下的傳輸帶寬達3.6GB/s。如果加壓到1.5V，工作頻率可提升至2GHz，帶寬也增至4GB/s。用在128-bit主流顯卡上，總帶寬分別就是28.8GB/s、32GB/s。
海力士已經開始向客戶提供這種新型GDDR3顯存的樣品，1.35V、1.5V版本編號分別為H5TC4G63AFR、H5TQ4G63AFR。
相關消息，海力士還于日前發布了2xnm DDR3L-RS低功耗移動內存顆粒，比之美光的30nm產品工藝上更加先進。電壓也是1.35V，顆粒容量2Gb、4Gb、8Gb，SO-DIMM內存條容量2GB、4GB、8GB，號稱比DDR3L內存待機功耗降低最多70％，性能則處于同一水平。
