IR推出超高速1200V IGBT
2011-09-27 19:48:10 本站原創
全新1200 V IGBT 器件采用 IR 成熟的纖薄晶圓場溝道技術，提供關鍵的性能優勢，包括可降低功耗和提升功率密度的低 VCE (on) 及超高速開關。此外，新器件還具有 1300 V 重復峰值額定值，以增強系統可靠性。這些 IGBT 與低正向電壓高峰值電流軟正向恢復二極管一起封裝，從而優化共振零電流開啟操作。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IR 新型 1200 V IGBT 的可靠性極高，而且能夠提升功率密度及效率，是感應加熱和共振應用的理想之選。”
全新 IGBT 使 IR 的 IGBT 系列在電機驅動和硬開關應用的表現上更加完善。IR 對功率應用的專注，使該公司能夠充分優化器件，以滿足不同功率系統的技術需求。
