“Super 12”高性能產品
2010-03-26 17:43:23 本站原創(chuàng)日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產品。這些系列器件具有業(yè)內領先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創(chuàng)新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關鍵應用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產品線組合的典型代表產品。
2010年將要發(fā)布的Super 12產品是：
597D和T97多模鉭電容：對于+28V應用，工業(yè)級的597D和Hi-Rel COTS T97D系列是業(yè)內首批75V額定電壓的鉭電容。這些器件具有業(yè)內最高的容值-電壓，從4V電壓的1500μF到75V電壓的15μF，可節(jié)省PCB空間，同時低至15mΩ的超低ESR提高了設計效率。
MKP 1848聚丙烯薄膜電容：對于直流應用，MKP 1848電容的額定容值為1μF～400μF，有2個或4個引腳用于PCB安裝(MKP 1848)，額定容值為60μF～400μF的器件采用總線條，用于直接IGBT安裝(MKP 1848 PCP)。
IHLP-6767功率電感：IHLP-6767器件是目前額定電流最高的SMD功率電感。器件的尺寸為4.0mm x 7.0mm，電流可達100A，感值為100μH，還具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性。
WSMS和WSBS高功率分流電阻：WSMS功率計分流電阻和WSBS車用
LPS平板厚膜電阻：LPS系列采用緊湊的57mm x 60mm的外形尺寸，功率耗散達800W，重量為83g。器件的絕緣強度達12kVRMS，阻值范圍為0.3Ω～900kΩ。
無磁MLCC：這些MLCC電容采用無磁材料制造，采用多種組裝方式，包括導電樹脂和紅外回流焊組裝。器件具有各種尺寸、電壓等級和容值，采用了貴金屬和濕法制造工藝，以達到高可靠性。
第三代TrenchFET P溝道MOSFET：這種最新一代的P溝道硅技術使器件實現了業(yè)內最佳的導通電阻標準，如采用
20A的第5代肖特基二極管20WT04FN：20WT04FN是業(yè)界首款采用D-PAK封裝的20A、40V二極管。該器件的工作溫度可高達+175℃，在20A、+125℃下的最大正向電壓降為0.530V，在45V、+125℃下的最大反向漏電流為7mA。
MSS1P2U和MSS1P3U eSMPTM SMD肖特基勢壘整流器：MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高電流密度，在0.4V電壓下具有0.35V的超低正向電壓降，典型厚度為0.68mm。
VO3120和VO3150A IGBT/MOSFET驅動器：這些2.5A和0.5A的驅動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
SiC769 DrMOS 6x6：SiC769集成式MOSFET和驅動IC方案具有業(yè)內最佳的功率密度，可用于主流的多相Vcore應用。新器件完全符合針對高功率CPU系統(tǒng)中電壓調整器(VR)的DrMOS標準，工作頻率可達1MHz。
第9代Super JunctionTM FET MOSFET：Vishay的22A、600V Super Junction FET MOSFET具有低至0.19Ω(最大)的導通電阻，改善了導通電阻與柵極電荷的乘積，即優(yōu)值(FOM)。
更多有關Vishay的Super 12產品信息，請訪問http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010。
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