iNAND嵌入式閃存驅(qū)動器支持e.MMC 4.4
2010-02-26 10:36:24 本站原創(chuàng)SanDisk（閃迪）推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式閃存驅(qū)動器（Embedded Flash Drives, EFD），支持e.MMC 4.4規(guī)格。這些驅(qū)動器基于3-bit-per-cell (X3) NAND閃存技術(shù)，在單一組件中提供最高達(dá)64GB1的容量，并能用于啟動、系統(tǒng)代碼和海量存儲功能。
越來越多的手機(jī)提供多種應(yīng)用和高存儲 量的內(nèi)容，比如電影和音樂播放、拍照攝影、游戲、GPS地圖數(shù)據(jù)、商務(wù)應(yīng)用等等。SanDisk iNAND EFDs是專為這些先進(jìn)的智能手機(jī)設(shè)計的，并在小巧的高功效體積中提供高容量和可靠存儲。
SanDisk公司的X3技術(shù)使高容量嵌入式存儲
成為了可能
閃迪公司先進(jìn)的X3技術(shù)推動了高容量嵌入式解決方案的開發(fā)，這些解決方案非常耐用，效能很高，且體積復(fù)雜度最小。近年來，閃迪公司通
過原始設(shè)備廠商（OEMs）和零售渠道成功開發(fā)并廣泛分銷了多種基于X3的產(chǎn)品，這不但證明了該技術(shù)已經(jīng)成熟，還證明了SanDisk公司有能力向市場提
供可靠的創(chuàng)新解決方案。
閃迪公司的存儲器管理專業(yè)知識和X3控制器技術(shù)使移動存儲解決方案能夠持續(xù)而低成本地發(fā)展。64GB iNAND EFDs滿足原始設(shè)備廠商對移動系統(tǒng)級存儲的可靠性和高性能的要求。新型64GB iNAND EFDs基于一種8顆閃存晶粒堆疊設(shè)計（該設(shè)計利用了SanDisk公司先進(jìn)的X3 32納米閃存），外形尺寸為16x20x1.4mm，采用標(biāo)準(zhǔn)的球腳數(shù)組（ball grid array, BGA）封裝，以便快速集成到智能手機(jī)設(shè)計中。
閃迪公司移動產(chǎn)品營銷總監(jiān)Oded Sagee表示：“SanDisk
X3閃存技術(shù)的成熟，以及閃存管理方面的創(chuàng)新，使我們能夠不斷地將較高的嵌入式存儲容量（64GB）轉(zhuǎn)變?yōu)槭袌錾蠈嵱玫慕鉀Q方案。我們了解客戶所處的環(huán)境
競爭激烈。通過充分利用X3 NAND的豐富經(jīng)驗，以及閃存管理技術(shù)的顯著進(jìn)步，我們?yōu)榭蛻籼峁┝撕芨咄顿Y回報的服務(wù)。”
最高效率的優(yōu)
化
SanDisk iNAND
EFD把系統(tǒng)代碼和用戶存儲整合到單一嵌入式器件中，以便節(jié)省寶貴的電路板空間，簡化了智能手機(jī)的設(shè)計，降低耗電量，并為原始設(shè)備廠商節(jié)省了單獨啟動組件
所需的成本。另外，這些驅(qū)動器運用了獨特的狀態(tài)感知架構(gòu)，因此
移動主機(jī)可以利用該架構(gòu)加強(qiáng)對存儲設(shè)備的控制，從而促成了資源利用的優(yōu)化和更快的系統(tǒng)響應(yīng)速度。
基于X3技術(shù)的iNAND器件完全符合 e.MMC 4.4規(guī)格，容量為4GB至64GB。
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊
相關(guān)文章
