三菱電機在PCIM 2011展上推介最新Smart-1系列IGBT模塊
2011-07-04 21:32:09 本站原創(chuàng)三菱電機的最新開發(fā)的Smart-1系列IGBT模塊，采用第6代CSTBTTM硅片技術(shù)和自動壓接裝配技術(shù)。模塊的飽和壓降低，功率損耗低，且硅片結(jié)溫可高達175°C，硅片運行溫度最高可達150 °C。
Smart-1系列IGBT模塊主要應(yīng)用于工業(yè)變頻電機驅(qū)動和伺服驅(qū)動，已開發(fā)出的模塊電路拓撲有兩種，一種是整流逆變制動的CIB（Converter Inverter Brake），另一種是6合1模塊。其中，CIB模塊的電流/電壓等級有15A~35A/1200V，6合1模塊的電流/電壓等級有25A~50A/1200V。
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