Intel大連工廠投產(chǎn)：造世界最先進3D NAND！內(nèi)存、硬盤2合1
2016-07-26 21:41:30 n據(jù)遼寧日報報道，經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲（NVRAM）制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產(chǎn)。
去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠，該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資。
官媒解讀稱，新項目的存儲產(chǎn)品是新的3D NAND存儲產(chǎn)品，是世界上還沒有人采用過的最先進技術，按照三維結構來制造存儲單元。
關于Intel 3D XPoint，最早發(fā)表于去年8月的IDF大會，這是一種基于電阻的非易失性內(nèi)存存儲方案，應用代表包括基于該技術的Optane固態(tài)硬盤、DIMM內(nèi)存條等，前者比傳統(tǒng)固態(tài)硬盤快足足5-7倍，后者號稱可比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存提供最多4倍的高容量、最低1/2的成本。
另外，Intel 200系新主板也將開始支持Optane固態(tài)硬盤。
據(jù)了解，英特爾大連工廠是英特爾在亞洲的唯一的晶圓制造工廠。
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