臺灣經濟部近來核定通過「爾必達-瑞晶后里技術研發中心計劃」，該計劃重點主要是借重其制程模塊、元件及整合相關技術發展40奈米以下4F2架構下之存儲器制程，以透過技術移轉、學研界共同開發及人員訓練等，促使臺灣廠商有機會掌握自有關鍵技術，并提升臺灣在DRAM產業技術之國際地位。
先前為因應全球金融海嘯之沖擊，DRAM廠商大多采取策略聯盟方式，日商爾必達(Elpida)亦積極與臺灣廠商接洽，更與力晶科技合資設立瑞晶電子，此舉系爾必達首次于海外進行DRAM制程技術之研發。爾必達以其優異之DRAM研發技術實力，結合瑞晶電子所具備之產能規模、生產效率、成本控制能力及研發人力等優勢，再加上臺灣力晶科技及華邦電子等公司杰出之商品化能力，透過該研發中心所建置之平臺，形成具競爭力之聯盟，并可望進一步帶領臺、日企業聯手整合上下游供應鏈，以共同提升兩國產業競爭力。
臺經濟部自2002年以來推動「鼓勵國外企業在臺設立研發中心計劃」，本計劃系配合國內產業技術發展趨勢與需求，爭取國際大廠及研發機構來臺設立研發中心，以強化研發創新體系國際連結，提升重點領域之前瞻技術開發，并厚植高階研發人力，目前已促成35家國際大廠與研發機構來臺設立50家研發中心。因應日本311震災，經濟部加強鼓勵日商引進關鍵技術，以擴大在臺研發投資，分散其天然災害風險，故今年將重點推動地區調整為日本及歐盟。
