99精品在线观看-99精品在线免费观看-99精品在线视频观看-99精品这里只有精品高清视频-99九九精品国产高清自在线

電源作為每一個(gè)電路系統(tǒng)都必備的部分，所以關(guān)于它的仿真自然是少不了的哈。對(duì)于硬件工程師朋友來說，他們認(rèn)為最直觀的描述電源質(zhì)量好不好的依據(jù)就是時(shí)域的噪聲或者紋波大小，例如1V的電源輸出，傳到負(fù)載的時(shí)候噪聲或紋波范圍有沒有在3%以內(nèi)啊，或者峰峰值是不是在±30mV，就像下圖一樣，用時(shí)域的方式來看電源噪聲的確是很 ...

好不容易弄到了IC實(shí)習(xí)崗位，進(jìn)了組以后才發(fā)現(xiàn)做的東西跟預(yù)期不一樣，或者沒有人帶，擔(dān)心幾個(gè)月下來做的東西對(duì)簡(jiǎn)歷幫助不大，不妨按照下面的思路看看從哪些地方可以破局。 從公司角度琢磨，招我進(jìn)組實(shí)習(xí)的目的是什么? 比如單純?yōu)榱嗽u(píng)估你做虛擬項(xiàng)目的能力再考慮是否正式錄用，還是說最終是為了拿你當(dāng)正 ...

高速先生成員--周偉 之前高速先生發(fā)表過一篇《過孔STUB長(zhǎng)，DDR信號(hào)“強(qiáng)”？》的文章，最近大家也都在問DDR4或DDR5長(zhǎng)stub是否有影響，是否要背鉆等，然后正好有個(gè)項(xiàng)目在仿真DDR4地址信號(hào)的時(shí)候我們讓設(shè)計(jì)人員將走線移到stub較長(zhǎng)的層面，信號(hào)居然變好了，到底怎么回事呢，下面我們就來看看吧。 這個(gè)項(xiàng)目共16層，板厚2 ...

在電子世界里，光耦作為連接不同電路的橋梁，發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。今天，我們要為大家介紹的是蘇州晶臺(tái)光電有限公司的產(chǎn)品 ——KL3H4 光耦。 KL3H4 采用交流輸入，內(nèi)部集成了兩個(gè)反向并聯(lián)的紅外發(fā)射二極管與光電晶體管，擁有諸多令人矚目的特性。它的電流轉(zhuǎn)換比（CTR）范圍 ≥20%（IF=±1mA, VCE=5V, Ta=25 ...

TPS65197BRUYR 8 通道電平轉(zhuǎn)換器，支持 2 通道、3 通道電荷共享和面板放電 特征 8 通道電平轉(zhuǎn)換器（STV，RESET，6 × CLK） 高輸出電壓電平 16.5V 至 45V (VGH) 低輸出電壓電平低至 –20V (VGL) 可選的電荷共享 無電荷共享 2 通道電荷共享 3 通道電荷共享 2 通道面板放電 T-CON 故障檢測(cè) 無邏輯復(fù)位 鎖存關(guān)斷 ...

SDC 相關(guān)的一些資料： https://bbs.eetop.cn/thread-599900-1-1.html https://blog.eetop.cn/blog-1768385-6961416.html https://bbs.eetop.cn/blog-1382085-6961973.html

隨著汽車智能化進(jìn)程加速，車輛電氣系統(tǒng)方案持續(xù)演進(jìn)。為滿足日益嚴(yán)格的功能安全要求，主機(jī)廠逐漸引入智能配電、冗余配電等新型方案，這給電氣系統(tǒng)的測(cè)試環(huán)節(jié)帶來了顯著影響。 智能配電測(cè)試 何為智能配電？下圖分別展示了傳統(tǒng)電氣架構(gòu)以及較新的電氣 ...

對(duì)于集成電路產(chǎn)品而言，靜電放電敏感度測(cè)試是基本要求。而在芯片的靜電放電保護(hù)設(shè)計(jì)方面，對(duì)I-V（電流-電壓）曲線加以分析，可以揭露一系列關(guān)鍵問題。 按照現(xiàn)行行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，最終測(cè)試（FT）是必須要做的，在測(cè)試過程中，被測(cè)器件要在不同電壓應(yīng)力等級(jí)時(shí)，于自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）與靜電放電（ESD）測(cè)試機(jī)臺(tái)之 ...

近期，我國(guó)在前沿科技領(lǐng)域頻頻傳來重磅消息：工信部等七部門聯(lián)合發(fā)文提出，到2027年要在腦機(jī)接口關(guān)鍵技術(shù)上取得突破，形成先進(jìn)的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)和標(biāo)準(zhǔn)體系，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品在工業(yè)、醫(yī)療與消費(fèi)領(lǐng)域加快應(yīng)用。同時(shí)，國(guó)務(wù)院印發(fā)《“人工智能+”行動(dòng)意見》，提出到2030年全面賦能高質(zhì)量發(fā)展，建設(shè)智能經(jīng)濟(jì)與智能社會(huì)。國(guó)產(chǎn)AI大模 ...

MGD3160AM515EKR2是一種改進(jìn)的、先進(jìn)的單通道高壓隔離柵驅(qū)動(dòng)器，具有驅(qū)動(dòng)和保護(hù)碳化硅(SiC)MOSFET以及功能安全的增強(qiáng)功能。以下是其主要特性： 高壓隔離IGBT和SiC單柵極驅(qū)動(dòng)IC器件功能 負(fù)載電流(IL)15A(典型值) 單通道 漏源導(dǎo)通電阻：500mΩ RDS(ON)(典型值) 負(fù)載電源電壓最小-12V，最大25V 電源電壓最小4.5V，最大4 ...