英飛凌科技推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT
2015-02-09 20:43:36 本站原創(chuàng) |
英飛凌科技股份公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）近日推出新型低飽和壓降VCE(sat) IGBT。此類IGBT 專門針對(duì) 50Hz 至20kHz 的低開關(guān)頻率范圍進(jìn)行了優(yōu)化。這個(gè)范圍的開關(guān)頻率常見于不間斷電源 (UPS) 以及光伏逆變器和逆變焊機(jī)中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP™5 薄晶片技術(shù)，使本來就很低的導(dǎo)通損耗因?yàn)檩d流子結(jié)構(gòu)的優(yōu)化得到了進(jìn)一步降低。
憑借 25°C時(shí)典型飽和壓降 (VCE(sat)) 為1.05 V的傲人成績(jī)，此類新型 IGBT成功地將效率水平提升到一個(gè)新的高度 —— 用 L5 系列代替它的前輩 TRENCHSTOP IGBT，使效率在NPC1拓?fù)渲刑嵘哌_(dá) 0.1％，在 NPC 2 拓?fù)渲刑嵘?0.3％。再加上VCE(sat)的溫度系數(shù)為正，保持高效率的同時(shí)還能直接并聯(lián)——樹立了20kHz 以下頻率的IGBT的行業(yè)標(biāo)桿。鑄造新 L5系列靈魂的 TRENCHSTOP5技術(shù)，不但能提供無與倫比的低傳導(dǎo)損耗，還能將25℃時(shí)的總開關(guān)損耗降至1.6 mJ。綜上所述，在低開關(guān)頻率應(yīng)用場(chǎng)合使用英飛凌新推出的低飽和壓降 IGBT 能提升效率，增加可靠性并且縮小系統(tǒng)的尺寸。
第一波面世的新L5 IGBT系列采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO-2473針封裝技術(shù)。此外，為了滿足需要進(jìn)一步增強(qiáng)效率的應(yīng)用場(chǎng)合，英飛凌還提供 TO-247 4針開爾文-發(fā)射極封裝版（Kelvin-Emitter package）的 L5 IGBT。與標(biāo)準(zhǔn)的 TO-247 3針封裝版相比，TO-247 4針封裝版的開關(guān)損耗減少了 20％。因此，L5與TO-247 4針封裝的結(jié)合，不但創(chuàng)造了終極版低傳導(dǎo)能耗和低開關(guān)損耗成績(jī)，還幫助英飛凌鞏固了在為高功率市場(chǎng)提供高度創(chuàng)新并且與眾不同的產(chǎn)品方面的領(lǐng)先地位。
配置規(guī)格
新型低飽和壓降L5系列有30A和75A兩種規(guī)格，一種是單IGBT形式，另一種則合裝有英飛凌的超快Rapid 1和Rapid 2硅二極管。TO-247 4針開爾文-發(fā)射極封裝版有75A規(guī)格。
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