三星電子批量生產首款256千兆，3D V－NAND閃存
2015-08-12 19:05:20 未知三星電子有限公司，世界領先的先進的存儲技術，今天宣布，它已開始批量生產業界第一款256千兆（GB），三維（基于48層的3位多級單元（MLC）陣列用于在固態驅動器（SSD）的3D）垂直的NAND（V-NAND）閃存。
“隨著我們推出的第三代V-NAND閃存的全球市場，我們現在可以基于改進的性能，功耗利用率和生產效率提供最佳的先進的內存解決方案，具有更高的效率，從而加速高增長性能和高密度的SSD市場，“楊鉉俊，內存業務的總裁，三星電子表示。 “通過充分利用三星V-NAND的優良特性，我們將擴大我們的優質級業務的企業和數據中心的細分市場，以及在消費市場，同時繼續加強我們的戰略重點固態硬盤。”
三星新推出的256GB 3D V-NAND閃存雙打常規128GB的NAND閃存芯片的密度。除了支持記憶存儲32千兆字節（256千兆）在一個單一的芯片，新的芯片也將很容易翻番三星的SSD現有陣容的能力，并提供TB級SSD來說，是理想的解決方案。
三星推出了其第二代V-NAND（32層3位MLC V-NAND）芯片在2014年八月在短短一年內推出了其第三代V-NAND（48層的3位MLC V-NAND）芯片在繼續領跑3D時代的記憶。
在新的V-的NAND芯片中，每個小區利用相同的3D電荷捕獲閃存（CTF）結構，其中，單元陣列垂直層疊，以形成被電通過約180十億通道孔相連通的陣列沖孔48層高的質量由于采用了特殊的蝕刻技術。總之，每個芯片包含超過85.3十億細胞。它們每個可以存儲數據的3位，結果256十億比特的數據，換言之，256GB片上不超過一個指尖大。
一個48層的3位MLC 256GB V-NAND閃存芯片提供超過功率降低了30％，比32層，3位MLC，128GB V-NAND芯片，數據存儲相同數量的時候。在生產過程中，新的芯片還實現了大約40％以上的工作效率，與32層的前輩，能帶來多大的提升成本競爭力的固態硬盤市場，而主要是利用現有的設備。
三星計劃生產第三代V-NAND整個2015年剩下的時間，使更多的加速采用TB級SSD的水平。雖然目前固態硬盤的引入與兩個TB的密度及以上的消費者，三星還計劃增加具有領先優勢的PCIe NVMe和SAS接口的高密度固態硬盤的銷售，為企業和數據中心的存儲市場。
