新一代存儲器還需要再等十年
2014-04-10 22:02:24 本站原創(chuàng)很少人會想到NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代，筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關(guān)于快閃記憶體儲存系統(tǒng)的電話會議，聽到不少儲存系統(tǒng)專家試圖把對話導(dǎo)引到IBM在下一代記憶體技術(shù)的規(guī)劃上，于是很驚訝地發(fā)現(xiàn)這些人居然都認(rèn)為 NAND快閃記憶體很快就會被新記憶體技術(shù)取代。
筆者在去年7月的HotChips大會上曾經(jīng)做過一場簡報(bào)，指出快閃記憶體在未來十年將會是主流記憶體技術(shù);而現(xiàn)在該產(chǎn)業(yè)才剛進(jìn)入SanDisk所說的“1Ynm”世代，接著還將邁入“1Znm”世代。SanDisk認(rèn)為，在“1Znm”之后，平面記憶體將式微，我們將進(jìn)入3D記憶體的時代;其他NAND快閃記憶體制造大廠也有類似的預(yù)測。
不過有鑒于這個產(chǎn)業(yè)的運(yùn)作模式，在“1Znm”世代之后，若出現(xiàn)另一條延續(xù)平面記憶體生命的新途徑也不足為奇;因此如果以每個記憶體世代兩年生命周期來計(jì)算，平面快閃記憶體應(yīng)該還能存活4~6年。在那之后，我們則將會擁有3D NAND快閃記憶體技術(shù)。
雖然三星(Samsung)在去年8月宣布開始量產(chǎn)3D結(jié)構(gòu)的V-NAND快閃記憶體，但該產(chǎn)品的稀有性意味著它還沒準(zhǔn)備好取代平面記憶體的地位;筆者猜測，3D記憶體技術(shù)到2017年以前應(yīng)該都還不會真正的大量生產(chǎn)。
今日大多數(shù)廠商都預(yù)期3D記憶體在式微之前也會經(jīng)歷三個世代，因此同樣以兩年一個世代來計(jì)算，NAND快閃記憶體技術(shù)應(yīng)該在4~6年之后，還會有另外一個6年的生命;所以在記憶體產(chǎn)業(yè)真的需要新技術(shù)來驅(qū)動產(chǎn)品價(jià)格下降那時，應(yīng)該已經(jīng)是10~12年之后了。
我的意思并不是其他記憶體技術(shù)有什么不對，只是目前尚未有足夠的力量讓它們的價(jià)格能比 NAND快閃記憶體更低廉;而且在 NAND快閃記憶體到達(dá)制程微縮極限之前，也沒有其他的動能可以改變現(xiàn)在的狀況。無論如何，要達(dá)到最低的成本、總是要有最大的產(chǎn)量，NAND快閃記憶體與DRAM目前就是比其他任何一種記憶體技術(shù)更便宜的方案。
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