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? 我們?nèi)绾稳ピu估一個(gè)信號(hào)的頻率呢？ 從感覺上，總感覺加sdm去實(shí)現(xiàn)小數(shù)分頻不太靠譜，明明一會(huì)2分頻，一會(huì)3分頻，怎么平均一下就實(shí)現(xiàn)了2.5分頻呢？ 我其實(shí)挺好奇第一個(gè)人為什么會(huì)想到用平均去實(shí)現(xiàn)小數(shù)分頻的。 回過頭來想，現(xiàn)實(shí)中的電路，即便VCO產(chǎn)生相噪特別低的信號(hào)，每個(gè)周期的時(shí)間也會(huì)有一些差別，這個(gè)時(shí)候怎么評 ...

import re import ipaddress def process_line(line): has_default_cidr = 0.0.0.0/0 in line def replace_cidr(match): cidr = match.group(0) if cidr == 0.0.0.0/0: & ...

想要零成本體驗(yàn)專業(yè)級車載總線開發(fā)測試工具？現(xiàn)在，INTEWORK VBA基礎(chǔ)版可免費(fèi)下載使用！該版本將向用戶免費(fèi)開放基于CAN（FD）/LIN總線的核心場景功能，包含監(jiān)控、分析、仿真、診斷及自動(dòng)化測試等，覆蓋90%+車載CAN(FD)/LIN總線開發(fā)測試場景，帶你輕松上手車載測試。 下載地 ...

1，在版圖上Edit--Hierarchy-- tree 2，save as到本地（如devicelist.txt) 3，在2的路徑下打開terminal，鍵入 grep HHW devicelist.txt | awk -F '{print $2}' |sort -u grep “HHW”代表工藝，全名會(huì)更好 devicelist.txt 就是剛保存的文檔名 awk -F formula 空格 ' ...

隨著汽車電子電氣架構(gòu)從分布式向集中式演進(jìn)，車身域控制器憑借其集成化、智能化優(yōu)勢，正成為車企提升整車開發(fā)效率與平臺(tái)功能擴(kuò)展性的核心部件。近日，福田戴姆勒全新銀河車型搭載經(jīng)緯恒潤新一代車身域控制器并完成量產(chǎn)交付。此次合作，進(jìn)一步驗(yàn)證了經(jīng)緯恒潤在域控制器領(lǐng)域的自主研發(fā)能力，為 ...

202508搜索了些時(shí)鐘芯片相關(guān)信息，記錄下。 時(shí)鐘芯片：電子系統(tǒng)“脈搏”的國產(chǎn)化挑戰(zhàn)與機(jī)遇-36氪 產(chǎn)業(yè)丨電子系統(tǒng)的“脈搏”，國產(chǎn)時(shí)鐘芯片戰(zhàn)局_騰訊新聞 時(shí)鐘芯片：為啥還沒跑出一家上市公司？ - 知乎 “小巨人”長大，時(shí)鐘芯片國產(chǎn)替代加快 - 中國日報(bào)網(wǎng) 時(shí)鐘產(chǎn)品分類： 國內(nèi)一些廠家： ...

在工業(yè)自動(dòng)化浪潮中，控制系統(tǒng)如同精密運(yùn)轉(zhuǎn)的 “ 大腦 ” ，而光耦器件則是保障其穩(wěn)定運(yùn)行的 “ 神經(jīng)元 ” 。晶臺(tái)作為光耦領(lǐng)域的技術(shù)先鋒，其產(chǎn)品已深度滲透至 PLC 控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、傳感器隔離等核心場景，成為工業(yè)智能化轉(zhuǎn)型中不可或缺的隱形力量。 ...

動(dòng)態(tài)功耗公式中提到的 “負(fù)載電容” 并非僅指晶體管內(nèi)部的寄生電容，而是 多種電容成分的總和 ，其中既包括晶體管自身的寄生電容，也包括外部互連引入的電容。具體可分為以下幾類： 1. 晶體管自身的寄生電容（核心成分之一） 晶體管在制造和工作時(shí)，因結(jié)構(gòu)特性會(huì)產(chǎn)生固有寄生電容，主要包括： 柵極電容（Cg） ： ...

芯片動(dòng)態(tài)功耗受哪些因素的影響？ 芯片 動(dòng)態(tài)功耗 和這些影響因素之間的關(guān)系式是怎樣的呢？ 電路理論中對晶體管開關(guān)過程能量消耗的經(jīng)典推導(dǎo)公式如下： 動(dòng)態(tài)功耗 ∝ 頻率 × 電壓 2 × 電容 ，其核心源于電容充放電的能量特性。以下從物理過程和數(shù)學(xué)推導(dǎo)兩方面詳細(xì)解釋： 一、動(dòng)態(tài)功耗的本質(zhì)：電容充放電的能量消 ...

DEMOS（Drain-Extended MOS Transistor）: 1.剖面圖： 2.結(jié)構(gòu)： DEMOS 包含一個(gè)輕摻雜的漏極擴(kuò)展區(qū)，該擴(kuò)展區(qū)通過在晶體管漏極端的柵極下方減少電場來提高漏擊穿電壓。 3.特點(diǎn)： 閾值電壓與常規(guī) CMOS 晶體管相似； 導(dǎo)通電阻相對較大； DEMOS 是高壓器件，但非真正的功率器件； W 與 L 可根據(jù)設(shè)計(jì)需求自 ...