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IR推出1200V Gen8 IGBT系列

2014-11-18 21:27:43 本站原創
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IR推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺適用于符合行業標準的TO-247封裝,并采用IR新一代溝道柵極場截止技術,為工業及節能應用提供卓越性能。

全新的Gen8組件提供從8A到高達60A的電流額定值,加上1.7V典型VCE(ON) 和10μs短路額定值,能夠減少功耗,有效增加功率密度并帶來卓越的耐用性。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“IR通過開發全新基準技術及頂尖的IGBT硅平臺,彰顯其數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達實現百分百變頻,從而更有效地使用電能,并且綠化環境。”

新技術為電機驅動應用提供更理想的軟關斷功能,通過盡量降低dv/dt來減少電磁干擾和過壓情況,有助于提升可靠性及耐用性。該平臺的參數分布狹窄,在進行多個IGBT并聯時便可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱阻,還可達到175°C的最高結溫。

潘大偉指出:“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業應用提供卓越的技術。該IGBT平臺憑借頂尖的VCE(ON)、卓越的耐用性及頂級的開關功能,使工業市場所面臨的難題迎刃而解。”

規格

器件編號

封裝

BV (V)

I(nom) (A)

VCE(ON) (V)

Tsc (μs)

IRG8P08N120KD

TO247

1200

8

1.7

10

IRG8P15N120KD

TO247

1200

15

1.7

10

IRG8P25N120KD

TO247

1200

25

1.7

10

IRG8P40N120KD

TO247

1200

40

1.7

10

IRG8P50N120KD

TO247

1200

50

1.7

10

IRG8P60N120KD

TO247

1200

60

1.7

10


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