5月18日,三星電子宣布該款12納米級DDR5已經(jīng)量產(chǎn)。
杭州地芯科技有限公司(以下簡稱:地芯科技)在上海發(fā)布了其全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS PA——GC0643。
日本首相岸田文雄5月18日在首相官邸會見了美國、歐洲、韓國和臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)的高管。岸田首相親自呼吁各公司在日本投資。岸田首
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設(shè)備鋰
5 月 18 日消息,據(jù)韓國 News 1 通訊社報(bào)道,由于銷售持續(xù)低迷,三星電子、SK 海力士和東部高科截至 2023 年第 1 季度末,半導(dǎo)
賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU
5 月 18 日消息,彭博援引知情人士的話稱,七國集團(tuán)正在加強(qiáng)芯片供應(yīng)鏈努力的投資部分日本將在廣島采用美光所謂的 1γ技術(shù)制造芯片據(jù)稱
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0 4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Fla
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